Número de Producto del Fabricante:
TSM60NB190CI C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM60NB190CI C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventario:
731 Pcs Nuevos Originales En Stock
12896318
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM60NB190CI C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1273 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
33.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TSM60NB190CI C0G-DG
TSM60NB190CIC0G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM60NB190CI
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TSM60NB190CI-DG
PRECIO UNITARIO
3.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMP56D0UFB-7
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
DMT615MLFV-7
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
TP0202K-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3